AMD 昨天發(fā)布了銳龍 7000 系列處理器，全新的 Zen 4 架構(gòu)架構(gòu)和現(xiàn)有的 Zen 3 架構(gòu)相比 IPC 提升了 13%，其中貢獻(xiàn)最大的是全新設(shè)計(jì)的前端，其次是加載 / 存儲系統(tǒng)，后面依次是分支預(yù)測器、執(zhí)行引擎和翻倍的 L2 緩存。

Zen 4 的內(nèi)核圖片昨天 AMD 其實(shí)已經(jīng)放在 PPT 里面，@SkyJuice60 對這圖片進(jìn)行了注釋，可以看到 Zen 4 內(nèi)核里面有一個非常大的分支預(yù)測單元，微操作緩存和 Zen 3 相比擴(kuò)大了許多，還有加載 / 存儲單元、TLB、分支調(diào)度器、支持 AVX-512 的雙 256bit FPU，L1 緩存沒有變化，而 L2 緩存容量翻了一倍，足足占據(jù)了四分之一的芯片面積。

@Chiakokhua

也詳細(xì)標(biāo)注了 Zen 4 和 Zen 3 的各種緩存和延遲，其中處理器的微操作緩存從 4K 條目擴(kuò)展到 6.75K 條目，L1 指令 / 數(shù)據(jù)緩存沒有變動依然是 32KB，L2 緩存從 512KB 擴(kuò)大到 1MB，延遲從 12 個周期增加到 14 個周期，L3 緩存大小沒變化，但延遲從 46 個周期增加到 50 個周期，重新排序緩沖區(qū)從 256 個條目擴(kuò)大到 320 個條目，L1 分支目標(biāo)緩沖區(qū)從 1KB 增加到 1.5KB。

根據(jù) AMD 的資料，Zen 4 的 CCD 面積為 71mm2，而 Zen 3 的 CCD 面積是 80.7mm2，芯片面積縮小了 12%，但晶體管數(shù)量從 41.5 億增加到了 65.7 億，增加了 58%，這主要?dú)w功于生產(chǎn)工藝從臺積電 7nm 升級到了 5nm。

而 IOD 也有很大變化，此前 Zen 2 和 Zen 3 處理器用的 IOD 都是用 GF 的 12nm 工藝生產(chǎn)的，現(xiàn)在 Zen 4 處理器所搭配的 IOD 改用了臺積電 6nm 工藝，改進(jìn)非常的大，舊的 IOD 芯片面積是 125mm2，而新的 IOD 面積是 122mm2，尺寸略微縮小，新的 IOD 里面除了 DDR5 內(nèi)存控制器和 PCI-E 5.0 控制器之外，還有一個擁有兩組 RDNA2 架構(gòu) CU 的核顯，并且整合了銳龍 6000 系列 Rembrandt 架構(gòu)的某些電源管理功能。