根據(jù)集邦咨詢 TrendForce 發(fā)布的最新研報，由于某些消費電子產(chǎn)品的需求減弱，內(nèi)存價格從 2021 年第四季度開始不斷下降。此外還受到其他多方面的因素：通脹上升、俄烏戰(zhàn)爭、疫情政策等影響，旺季需求疲軟等等，因此這些銷售壓力從買方延伸至廠商。

針對上述情況，美光上周宣布將減產(chǎn) DRAM 和 NAND Flash，成為首家正式降低產(chǎn)能利用率計劃的主要內(nèi)存廠商。鎧俠也緊隨美光宣布，自 10 月起將 NAND Flash 產(chǎn)能利用率降低 30%。

在 NAND Flash 方面，美光原本計劃從 22 年 4 季度開始逐步提高 232 層產(chǎn)品的比例。不過隨著公司減產(chǎn)決定的落實，預(yù)計 2023 年美光的主流制程仍以 176 層產(chǎn)品為主，而傳統(tǒng)制程的晶圓開工率也會下降。

與 NAND Flash 相比，是否會出現(xiàn)大幅減產(chǎn)還有待觀察。除了提到目前該領(lǐng)域產(chǎn)能利用率略有下降外，美光主要強調(diào)其對 2023 年資本支出的大幅下調(diào)，明年 DRAM 生產(chǎn)位元的年增長率僅為 5% 左右。

鎧俠和 WDC 原計劃從 22 年第 4 季度開始遷移到 162 層產(chǎn)品，但 WDC 在 2023 年放緩了資本支出。在資金難以獲得且需求可見性不佳的情況下，162 層產(chǎn)品的比例將大幅下降，公司原計劃 2023 年替代主流 112 層產(chǎn)品將無法實現(xiàn)。

2023 年內(nèi)存市場供需情況來看，由于需求前景保守，DRAM 和 NAND Flash 各季度均出現(xiàn)嚴(yán)重供過于求，明年上半年庫存壓力將繼續(xù)加速。

編輯：熊樂

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